型号:IRFIB8N50K | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片 | 描述:MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP |
系列 | HEXFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 350 毫欧 @ 4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 89nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2160pF @ 25V |
功率_最大 | 45W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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